Главная Карта сайта Контакты Ссылки Авторам
Яндекс.Метрика
Главная
Популярное

Физики ДВФУ смоделировали модуль магнитной компьютерной памяти нового типа

Ученые Дальневосточного федерального университета (ДВФУ) предложили новую концепцию так называемой беговой памяти — магнитной компьютерной памяти, работающей на спиновом токе. Устройства на таком типе памяти будут способны хранить больший объем информации по сравнению с современными флеш-накопителями и жесткими дисками. Скорость чтения, записи и время хранения данных также возрастут. Статья об этом опубликована в авторитетном научном журнале Scientific Reports. Модули беговой памяти (англ. racetrack memory) ученые предлагают изготавливать по принципу сэндвича: тяжелый металл (платина, рутений, тантал и т.д.) покрывается слоем ферромагнетика толщиной около 1 нанометра, который сверху закрывается еще одним слоем тяжелого металла. В процессе построения модуля используется принцип наноструктурирования, что делает эту технологию быстрее, проще и дешевле по сравнению с другими.

 

dfru1.jpg

Носителем информации в модуле будет выступать скирмиониум, топологически устойчивый вихреподобный участок намагниченности — более совершенный аналог скирмиона.

«Топологические особенности скирмиониума позволяют существенно повысить плотность записи информации. Мы также исследовали его стабильность под воздействием тока, чтобы определить технологические условия и режимы работы нашей памяти. В скирмиониуме нам удалось снять ограничения, свойственные скирмиону. В частности, нивелировать силу Магнуса, действие которой приводило к потере данных», — пояснил один из авторов работы, научный сотрудник лаборатории пленочных технологий Школы естественных наук ДВФУ Александр Колесников.

 

skyr_1.jpg

Ученые показали стабильность скирмиона и скирмиониума до радиусов 2 и 15 нанометров, соответственно. Если пересчитать в плотность записи, это для первого случая она составит около 50 Терабит/кв. дюйм, для второго около 1 Терабит/ кв. дюйм. У современных HDD плотность записи — порядка 1 Терабит/ кв. дюйм.  

«Поскольку мы предлагаем прототип ячейки памяти, а не готового устройства, корректного сравнения скорости записи провести нельзя. В готовом устройстве число физических элементов, производящих запись информации, может отличаться. Максимальные значения для современных устройств HDD — около 500 Мегабайт/секунду. Если рассмотреть одну нашу ячейку памяти, то на запись одного бита требуется 700 пикасекунд, что соответствует скорости записи около 170 Мегабайт/секунду. Больше ячеек — выше скорость», — пояснил Александр Колесников.

Также ученые отметили, что для работы памяти на скирмиониуме не требуется внешних источников питания — она энергонезависима. Таким образом, диск на беговой памяти сохранит данные, даже если компьютер долго не будет подключен к источнику питания. Современные жесткие диски подвержены процессу размагничивания, при котором происходит полная утрата данных. Кроме того, в беговой памяти отсутствует ограничение по числу циклов записи. Это выгодно отличает технологию магнитной беговой памяти от современных SSD-дисков, которые имеют конечное количество циклов перезаписи.

Источники:

РадиоЛоцман

     dvfu.ru
 

Импульсный блок питания 1000W на IGBT транзисторах

(18 голосов)

Силовая часть  собрана по мостовой схеме на мощных IGBT транзисорах B1- B4 (на схеме отсутствует ЭМИ фильтр). D1-D4 - диодный мост. R6 и RS1 - схема плавного включения,  обеспечивает постепенный заряд фильтрующего конденсатора С3, исключая бросок тока. С5, R7, R8 - схема запуска ШИМ контроллера. С2, R10 - демпфирующая цепь. LR1-LR2, D5-D8, R9, WR - регулировка выходного тока.

   1200w_1.jpg

Список радиодеталей силового блока:

Предохранители
F1- 5A

Транзисторы  IGBT
B1, B2, B3, B4 – G20N60
 
 Диоды
D1, D2, D3, D6 – 6A10 ( 6A 1000V)
D7, D8, D9, D10 – 4148

Конденсаторы
C1 – 2,2uF 630V
C2 – 332  630V (3300pF, 3,3nF, 0,0033 uF )
C3 – 600uF 400V, электролитический
C4 – 220uF 400V, электролитический
C5 – 22uF 400V, электролитический
C6 – 104 (100nF, 0,1uF)

Резисторы
RB1, RB2, RB3, RB4 – 3,3K
R5 – 10K
R6 –100/10W
R7 – 10K/2W
R8 – 120K/2W
R9 – 150
R10 – 51/10W
RW – 510, подстроечный

Реле
RS1-  12V 10A

LR1, LR2 – трансформатор тока
ферритовое кольцо 20*12*6  2000НМ, вторичная обмотка LR2 - 100 витков провода 0,12- 0,15 мм2,  первичная обмотка  LR1— перемычка, пропущенная через кольцо.

1200w_6.jpg

 

 

PM1  Блок ШИМ контроллера собран на микосхемах TL494 и IR2181, способен управлять мощными IGBT или MOSFET транзисторами с током до 60А. С помощью этого блока возможно построение мощного блока питания по мостовой схеме от 1 до 3 кВт.

   1200w_4.jpg

 1200w_5.jpg

 

Список радиодеталей ШИМ контроллера:

Микросхемы
TL494
IR2181 – 2шт.

Диоды
UF 407 – 2шт.
Zener 18V

Конденсаторы
224 (200n, 0,22uF) – 3шт
103 (10n, 0,01uF) – 2шт.
102 (1000pF, 1n) – 1шт.
100uF*35V – 1шт.
100uF*16V – 1шт.

Резисторы
10 – 4шт.
51 – 1шт.
1К – 4шт.
2К – 5шт.
10К – 1шт
15К – 1шт.
82К – 2шт.

 

Вторичные цепи с однополярным питанием и силовой трансформатор

1200w_2.jpg

Силовой трансформатор изготовлен на сердечнике ЕЕ55 материал N87 . Первичная обмотка N1 - 0,35*6=35 витков, N2,N3 - 0,55*10=6+6 витков, N4-0,55=3 витка, N5 - 0,55=2 витка.

Дроссель L1 изготовлен на сердечнике ЕЕ55 материал N87 0,55*20=9 виков

Стабилизатор V1 - 12V, питание вентилятора и реле Rs1. Стабилизатор V2 - 18V, питание Шим контроллера. WR1 - регулировка выходного напряжения.

 

 Вторичные цепи с двухполярным питанием и силовой трансформатор

 1200w_3.jpg

   

Силовой трансформатор изготовлен на сердечнике ЕЕ55 материал N87 (при расчете программой Lite-CalcIT, размер сердечника: E 42/21/20 N87) . Первичная обмотка N1 - 0,35*6=35 витков, N2,N3 - 0,55*4=9+9 витков, N4-0,55=3 витка, N5 - 0,55=2 витка.

Дроссель L1а L1b  изготовлен на сердечнике ЕЕ55 материал N87 0,55*10=9+9 виков (противоположное направление намотки).

Стабилизатор V1 - 12V, питание вентилятора и реле Rs1. Стабилизатор V2 - 18V, питание Шим контроллера. WR1 - регулировка выходного напряжения.

 

Печатная плата блока управления ....>>>здесь 

 

 

 

Комментарии 

 
#1 Илларион 25.05.2018 15:08
Импульсный блок питания 1000W на IGBT транзисторах
Если можно, печатку на блок управления.
Пожалуйста.
С уважением
Илларион
 
 
#2 Irbositag 09.06.2018 16:47
как-то не вполне понятно, действительно ли так, как указано здесь перевод генерального директора на другую должность: ukrat.ru/.../... либо все-таки имеются какие-нибудь другие путиПредоставля ем услугу по судам по земле в оперативном порядке. Мы даем отличное оказание работ на рынке. Среди наших опций оперативность, высокая оперативность. У нас позитивный опыт по решению подобного рода проблем.
 
 
#3 Irbositag 22.06.2018 01:09
почему-то не пойму, верно ли тут трудовые споры о выдаче зарплаты: ukrat.ru/.../... либо как-то имеются какие-нибудь иные способыВыполняе м работы по составлению экспертных мнений. Мы предоставляем отличное выполнение работ в этой области. В числе наших опций скорость, оперативность. Колоссальный стаж по разрешению подобных проблем.
 

Комментарии могут оставлять только зарегистрированные пользователи

< Пред.   След. >
Загрузка...