Главная Карта сайта Контакты Ссылки Авторам


               0-50В, 0-15А

bp5015.png

Яндекс.Метрика
Главная

Популярное

Росэлектроника освоила новый формат плат для микросхем

(11 голосов)

Специалисты ведущего предприятия холдинга в сфере компонентов и устройств радиосвязи - АО «Омский НИИ приборостроения», освоили уникальную для российской микроэлектроники комбинированную технологию изготовления плат ГИС на основе толстых и тонких пленок, обеспечивающую повышение основных характеристик радиотехнических устройств при снижении трудоемкости их изготовления.

fb2.jpg

Технология позволяет реализовать до 30 многослойных тонкопленочных слоев на толстопленочном многослойном основании с разрешением «проводник-зазор» и диаметром переходных отверстий 30 мкм и менее, а также интегрировать непосредственно в объем многослойной платы ГИС пассивные и активные элементы, в том числе системы на кристалле, что обеспечивает высокую плотность компоновки, и, как следствие, компактность разрабатываемых изделий.

 

Усилитель 100W

(21 голосов)

 

 

amp100w.png

 

Этот несложный  усилитель  на транзисторах 2SC3858 и 2SA1494 обеспечивает 100w  на нагрузке 8 Ом.  При тестировании с нагрузкой 4 Ом он  выдал 150W (при использовании этого режима необходимо использовать хороший радиатор).
R6  -  резистор обратной связи, чем выше его значение, тем больше коэффициент усиления. Соответственно при его увеличении ниже качество звука  (рекомендуется: максимум 100К, минимум 33К).
При сборке усилителя используйте оригинальные компоненты.  Для этого измерьте коэффициент усиления транзисторов 2SC3858, 2SA1494  и сравните его с паспортными данными, если он меньше, то вероятнее всего транзистор не оригинальный. Первое включение производите через лампу накаливания (гирлянду ламп) 60-100w, далее  измерьте напряжения смещения на транзисторах и напряжение на выходе усилителя, оно должно быть 0v.


shema_amp100w.png


 



Источник:  construyasuvideorockola.com

Печатная плата и инструкция по сборке усилителя:  http://construyasuvideorockola.com/downloads/amp_741.pdf

 (добавлено еще два варианта исполнения усилителя)

 

Импульсный блок питания 1000W на IGBT транзисторах

(0 голосов)

Силовая часть  собрана по мостовой схеме на мощных IGBT транзисорах B1- B4 (на схеме отсутствует ЭМИ фильтр). D1-D4 - диодный мост. R6 и RS1 - схема плавного включения,  обеспечивает постепенный заряд фильтрующего конденсатора С3, исключая бросок тока. С5, R7, R8 - схема запуска ШИМ контроллера. С2, R10 - демпфирующая цепь. LR1-LR2, D5-D8, R9, WR - регулировка выходного тока.

   1200w_1.jpg

Список радиодеталей силового блока:

Предохранители
F1- 5A

Транзисторы  IGBT
B1, B2, B3, B4 – G20N60
 
 Диоды
D1, D2, D3, D6 – 6A10 ( 6A 1000V)
D7, D8, D9, D10 – 4148

Конденсаторы
C1 – 2,2uF 630V
C2 – 332  630V (3300pF, 3,3nF, 0,0033 uF )
C3 – 600uF 400V, электролитический
C4 – 220uF 400V, электролитический
C5 – 22uF 400V, электролитический
C6 – 104 (100nF, 0,1uF)

Резисторы
RB1, RB2, RB3, RB4 – 3,3K
R5 – 10K
R6 –100/10W
R7 – 10K/2W
R8 – 120K/2W
R9 – 150
R10 – 51/10W
RW – 510, подстроечный

Реле
RS1-  12V 10A

LR1, LR2 – трансформатор тока
ферритовое кольцо 20*12*6  2000НМ, вторичная обмотка LR2 - 100 витков провода 0,12- 0,15 мм2,  первичная обмотка  LR1— перемычка, пропущенная через кольцо.

1200w_6.jpg

 

 

PM1  Блок ШИМ контроллера собран на микосхемах TL494 и IR2128, способен управлять мощными IGBT или MOSFET транзисторами с током до 60А. С помощью этого блока возможно построение мощного блока питания по мостовой схеме от 1 до 3 кВт.

   1200w_4.jpg

 1200w_5.jpg

 

Список радиодеталей ШИМ контроллера:

Микросхемы
TL494
IR2128 – 2шт.

Диоды
UF 407 – 2шт.
Zener 18V

Конденсаторы
224 (200n, 0,22uF) – 3шт
103 (10n, 0,01uF) – 2шт.
102 (1000pF, 1n) – 1шт.
100uF*35V – 1шт.
100uF*16V – 1шт.

Резисторы
10 – 4шт.
51 – 1шт.
1К – 4шт.
2К – 5шт.
10К – 1шт
15К – 1шт.
82К – 2шт.

 

Вторичные цепи с однополярным питанием и силовой трансформатор

1200w_2.jpg

Силовой трансформатор изготовлен на сердечнике ЕЕ55 материал N87 . Первичная обмотка N1 - 0,35*6=35 витков, N2,N3 - 0,55*10=6+6 витков, N4-0,55=3 витка, N5 - 0,55=2 витка.

Дроссель L1 изготовлен на сердечнике ЕЕ55 материал N87 0,55*20=9 виков

Стабилизатор V1 - 12V, питание вентилятора и реле Rs1. Стабилизатор V2 - 18V, питание Шим контроллера. WR1 - регулировка выходного напряжения.

 

 Вторичные цепи с двухполярным питанием и силовой трансформатор

 1200w_3.jpg

   

Силовой трансформатор изготовлен на сердечнике ЕЕ55 материал N87 (при расчете программой Lite-CalcIT, размер сердечника: E 42/21/20 N87) . Первичная обмотка N1 - 0,35*6=35 витков, N2,N3 - 0,55*4=9+9 витков, N4-0,55=3 витка, N5 - 0,55=2 витка.

Дроссель L1а L1b  изготовлен на сердечнике ЕЕ55 материал N87 0,55*10=9+9 виков (противоположное направление намотки).

Стабилизатор V1 - 12V, питание вентилятора и реле Rs1. Стабилизатор V2 - 18V, питание Шим контроллера. WR1 - регулировка выходного напряжения.

 

 

 

 

 

Загрузка...