Яндекс.Метрика
Главная arrow Основы электротехники arrow Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы

(44 голосов)
Оглавление
Биполярные транзисторы
Характеристики биполярного транзистора

 

 

 

 

Статические характеристики биполярного транзистора

     Эти характеристики показывают графическую зависимость между токами и напряжениями транзистора и могут применяться для определения некоторых его параметров, необходимых для расчета транзисторных схем. Наибольшее применение получили статические входные и выходные характеристики.


transistor5.jpg  
   
   Входные статические характеристики представляют собой вольт-амперные характеристики эмиттерного электронно-дырочного перехода. Если транзистор включен по схеме с общей базой, то это будет зависимость тока эмиттера Iэ от напряжения на эмиттерном переходе UэБ . При отсутствии коллекторного напряжения (UКБ = 0) входная характеристика представляет собой прямую ветвь вольт-амперной характеристики эмиттерного ЭДП, такой же, как ВАХ диода. Если на коллектор подать некоторое напряжение, смещающее его в обратном направлении, то коллекторный ЭДП расширится и толщина базы вследствие этого уменьшится. В результате уменьшится и сопротивление базы эмиттерному току, что приведет к увеличению эмиттерного тока, то есть характеристика пройдет выше.
   При включении транзистора по схеме с общим эмиттером  входной характеристикой будет графическая зависимость тока базы IБ ОТ напряжения на эмиттерном переходе UБЭ. Так как эмиттерный переход и при таком включении остается смещенным в прямом направлении, то входная характеристика будет также подобна прямой ветви вольт-амперной характеристики эмиттерного ЭДП .
   Выходные статические характеристики биполярного транзистора — это вольт-амперные характеристики коллекторного электронно-дырочного перехода, смещенного в обратном направлении. Их вид также зависит от способа включения транзистора и очень сильно
от состояния, а точнее — режима работы, в котором находится эмиттерный ЭДП.

 transistor6.jpg

 


    Если транзистор включен по схеме с общей базой (ОБ) и Iэ = 0, то есть цепь эмиттера оборвана, то эмиттерный ЭДП не оказывает влияния на коллекторный переход. Так как на коллекторный ЭДП подано обратное напряжение, то выходная характеристика, представляющая собой зависимость тока коллектора Iк от напряжения между коллектором и базой UКБ, будет подобна обратной ветви ВАХ диода (нижняя кривая ). Если же на эмиттерный ЭДП подать прямое напряжение
, то появится ток эмиттера  Iэ, который создаст почти такой же коллекторный ток Iк. Чем больше прямое напряжение на эмиттерном ЭДП, тем больше значения эмиттерного и коллекторного токов и тем выше располагается выходная характеристика.
    Сказанное справедливо и при включении биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером (ОЭ). Разница состоит лишь в том, что в этом случае выходные характеристики снимают не при постоянных значениях тока эмиттера, а при постоянных значениях тока базы IБ , и идут они более круто, чем выходные характеристики в схеме с ОБ.
    При чрезмерном увеличении коллекторного напряжения происходит пробой коллекторного ЭДП, сопровождающийся резким увеличением коллекторного тока, разогревом транзистора и выходом его из строя. Для большинства транзисторов напряжение пробоя коллекторного перехода лежит в пределах от 20 до 30 В. Это важно знать при выборе транзистора для заданного напряжения источника питания или при определении необходимого напряжения источника питания для имеющихся транзисторов.
    Увеличение температуры вызывает возрастание токов транзистора и смещение его характеристик. Особенно сильно влияет температура на выходные характеристики в схеме ОЭ .

 

transistor7.jpg

 

 



 

Комментарии 

 
+11 #1 Читатель 01.03.2011 19:55
Ваша статья просто открыла мне глаза. Могу сказать, что ни в одном учебнике мира не написано так просто то, что вы смогли здесь описать. Благодарю от всей души!
 
 
+5 #2 mari 23.03.2011 20:50
Спасибо вам большое!!!!вот это я понимаю- и кратко и ясно!не то что на других сайтах!!!!!
 
 
+3 #3 Артур 13.04.2011 23:10
Полностью согласен с мнением предыдущих читателей. Автор молодец! Пиши в том же духе дальше!
 
 
-1 #4 Милана 09.05.2011 12:06
Скажите,пожалуй ста,почему при каком-то определенном напряжении ток эмиттор-коллектор не течет?
 
 
#5 гость 07.06.2011 14:20
По видимому, материал взят из книги В.И. Галкин "Начинающему радиолюбителю". Читаемс)
 
 
#6 Павел 05.12.2011 01:22
спасибо
 
 
#7 гость 10.01.2012 17:18
энергетическая диаграмма биполярного транзистора в режиме отсечки?
 
 
#8 гость 10.01.2012 17:20
спасибо! ещё напишите пожалуйста, как правильно нарисовать энергетическую диаграмму биполярного транзистора в режиме отсечки? заранее благодарю!
 
 
+2 #9 Леха 11.01.2012 12:50
пасибо!!!! Выручил!!! как раз то,что нужно!!! 1 в 1!)
 
 
#10 Петр 26.01.2012 11:57
Спасибо, краткий материал, без формул, идеально подходит для понимания)
 

Комментарии могут оставлять только зарегистрированные пользователи

< Пред.   След. >

Загрузка...
Похожие материалы: