Усилитель 250 Вт на STK4231

 

       В усилителе использована гибридная микросхема STK4231-II производства фирмы SANYO. Эта микросхема двухканальная, поэтому для мостового варианта включения требуется только одна микросхема.

Основные технические параметры

Номинальная  выходная мощность, Вт…….250
Максимальная  выходная мощность, Вт…  320
Сопротивление нагрузки, Ом    ………5,3
Диапазон воспроизводимых частот, кГц…  0,02...20
Коэффициент  гармоник, не более, %  …….0,4
Входное напряжение, мВ     …………..........500

Усилитель питается о нестабилизированного источника двухполярного напряжения 2х(45..55В). ОУ на DA1 питается от стабилизаторов напряжения выполненных на DA3 и DA4. От этих  же стабилизаторов напряжения при необходимости можно питать и предварительный усилитель с регуляторами тембра. На транзисторах VT1-VT4 выполнен узел защиты по току, предотвращающий выход из строя микросхемы при перегрузке.
Микросхема имеет узел, предотвращающий щелчки в АС при включении и выключении питания. Для этого на вывод 8 микросхемы  поступает постоянное напряжение, подаваемое через диод VD2 и корректирующие цепи с обмотки трансформатора питания.
Усилитель испытан в работе с реальной нагрузкой сопротивлением 5,3 Ом, при сопротивлении 8 Ом выходная мощность несколько меньше.
   В конструкции можно использовать резисторы С5-16 мощностью 5 Вт (R16—R18, R28—R30), МЛТ-1 (R22, R31, R38, R39), остальные — МЛТ-0,25 или МЛТ-0,5. Оксидные конденсаторы К50-35 или импортные на напряжение 63 В
. Остальные конденсаторы — пленочные (группы К73) или керамические (кроме группы ТКЕ Н50 и Н90)
   ОУ DA1 можно заменить на К140УД7, КР140УД17, TL071 и др. Транзисторы КТ502Е можно заменить на 2SA1207, КТ814Г, VT3 -- на 2SC2911, КТ815Г, a VT4 на 2SA1209, КТ814Г Дроссели L1, L2 наматывают проводом диаметром 1 мм на резисторах R17 R29 виток к витку в один слой по длине резистора.
     Такой УМЗЧ можно питать как от трансформаторного источника сетевого питания, так и от более современного импульсного. Мощность источника питания следует выбирать на 30...40 % больше максимальной мощности самого усилителя.
При сборке описанного усилителя особое внимание необходимо уделить креплению микросхем к теплоотводу. Введение слюдяных прокладок для изоляции при такой мощности усилителя недопустимо. Микросхемы допускают нагрев до 70 С при нормальной работе но эту температуру желательно не превышать Желательно использовать принудительное охлаждение вентилятором . Теплоотвод можно установить штыревой (игольчатый), в крайнем случае ребристый, выполняющий роль задней или боковых стенок корпуса усилителя. Возможно закрепить микросхему винтами с применением теплопроводной пасты к медной пластине толщиной 3...5 мм, а затем уже пластину с той же пастой к рассеивающему теплоотводу. Размеры пластины должны в 2...4 раза превышать размеры используемой микросхемы. При этом эффективность отдачи тепла будет максимальной.
   При правильной сборке и применении заведомо исправных деталей описанный усилитель не требует налаживания.

 

 

 

     

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

  И. Коротков Радио№11, 2005