Справочник по радиокомпонентам

ГТ125Е

Транзисторы германиевые низкочастотные усилительные маломощные. Предназначены для работы в низкочастотных усилительных устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами

Тип
прибора

Структу-
-ра

P_{К max}
P^*_К,тmax
P^**_К,иmax
мВт

f_грf^*_h21бf^**_h21эf^***_maxМГц

U_КБОU^*_КЭR U**_КЭОВ

U_ЭБОВ

I_{K max}I^*_K,иmaxмА

I _КБОI^*_КЭR I**_КЭОмкА

h_21э,h^*_21Э

С_кС^*_12э пФ

r_КЭнасr*_БЭнасОм

К_{ш дб}r^*_{б Ом}P^**_вых

τ_Кпс t*_расt**_выкл t***_пкнс

Корпус

ГТ125А

p-n-p

150

≥1*

300*

≤15

28-56

≤1

ГТ125Б

p-n-p

150

≥1*

300*

≤15

45-90

≤1

ГТ125В

p-n-p

150

≥1*

300*

≤15

71-140

≤1

ГТ125Г

p-n-p

150

≥1*

300*

≤15

120-200

≤1

ГТ125Д

p-n-p

150

≥1*

300*

≤15

≥28*

≤1

ГТ125Е

p-n-p

150

≥1*

300*

≤15

45-90

≤1

ГТ125Ж

p-n-p

150

≥1*

300*

≤15

71-140

≤1

ГТ125И

p-n-p

150

≥1*

300*

≤15

25-56*

≤1

ГТ125К

p-n-p

150

≥1*

300*

≤15

45-90*

≤1

ГТ125Л

p-n-p

150

≥1*

300*

≤15

71-140*

≤1

P_{К max-}максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора
P^*_{К,т max-}_{постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом}
P^**_{К,и max-}максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора

f_гр - граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
f^*_h21б - предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общей базой
f^**_h21э -предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
f^***_max -максимальная частота генерации

U_КБО - пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
U^*_КЭR - пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер
U**_КЭО - пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы

U_ЭБО-пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора

I_{K max -}максимально допустимый постоянный ток коллектора
I^*_{K,и max -}максимально допустимый импульсный ток коллектора

I _{КБО -}обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряженииколлектор-база и разомкнутом выводе эмиттера
I^*_{КЭR -}обратный ток коллектор - эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер
I**_{КЭО -}обратный ток коллектор - эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и разомкнутом выводе базы

h_21э,- статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером

h^*_21Э - статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме большого сигнала для схем с общим эмиттером

С_к- емкость коллекторного перехода

r_КЭнас- сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером
r*_БЭнас - сопротивление насыщения между базой и эмиттером

К_ш - коэффициент шума транзистора
r^*_б - сопротивление базы
P^**_вых - выходная мощность транзистора

τ_К - постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
t*_рас - время рассасывания
t**_выкл- время выключения

Powered by Sigsiu.NET
Назад

Вход

ГТ125Е